企业简介
河北同光晶体有限公司 main business:碳化硅单晶及碳化硅单晶抛光片制造、加工、销售；珠宝首饰及有关物品制造、加工、销售；货物进出口业务，但国家限定公司经营或禁止进出口的商品除外；科技中介服务。（经营范围中属于法律、行政法规规定须经批准的项目，应当依法经过批准后方可经营）。 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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河北同光晶体有限公司的工商信息
- 130605000029451
- 91130605596834603J
- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司(自然人投资或控股)
- 2012年05月28日
- 郑清超
- 21000.000000
- 2012年05月28日 至 2062年05月27日
- 高新区工商行政管理局
- 2016年09月21日
- 保定市北二环路5699号大学科技园6号楼B座四楼A007室
- 碳化硅单晶及碳化硅单晶抛光片制造、加工、销售；珠宝首饰及有关物品制造、加工、销售；货物进出口业务，但国家限定公司经营或禁止进出口的商品除外；科技中介服务。（经营范围中属于法律、行政法规规定须经批准的项目，应当依法经过批准后方可经营）。
河北同光晶体有限公司的域名
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 河北同光晶体有限公司 | http://www.synlight.cn/ |
河北同光晶体有限公司的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 12434488 |  |
同光 | 2013-04-16 | 半导体;集成电路用晶片;硅外延片;电阻材料;电导体;晶体管(电子);发光二极管(LED);三极管;超高频管;半导体器件; | 查看详情 |
河北同光晶体有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN103643294B | 一种尺寸均一、多面体形态的碳化硅微晶的制备方法 | 2016.07.06 | 本发明涉及一种尺寸均一、多面体形态的碳化硅微晶的制备方法，包括以下步骤：将SiC原料放置于坩埚中，微 |
| 2 | CN106245110A | 一种减少SiC晶体生长中缺陷产生的方法 | 2016.12.21 | 本发明涉及一种减少SiC晶体生长中缺陷产生的方法，是在常用的物理气相传输法生长碳化硅单晶的基础上做进 |
| 3 | CN106591952A | 一种SiC晶片的制备方法 | 2017.04.26 | 本发明涉及一种SiC晶片的制备方法，包括以下步骤：步骤一，采用高纯的硅粉和碳粉为原料，在高真空条件下 |
| 4 | CN106544724A | 一种碳化硅单晶生长热场结构中的石墨板涂层的制备方法 | 2017.03.29 | 本发明的碳化硅单晶生长热场结构中的石墨板涂层的制备方法，包括如下步骤：1)制备TaCl<sub>5< |
| 5 | CN106480504A | 一种降低大直径SiC单晶内应力的炉后退火方法 | 2017.03.08 | 本发明涉及碳化硅单晶生长结束后处理领域，具体涉及一种降低大直径SiC单晶内应力的炉后退火方法。包括以 |
| 6 | CN106480503A | 一种颗粒状碳化硅单晶的生长方法 | 2017.03.08 | 针对现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种颗粒状碳化硅单晶的生长方法，通过使用多孔石墨板上涂覆高 |
| 7 | CN106435735A | 一种优化碳化硅单晶生长的方法 | 2017.02.22 | 本发明属于碳化硅单晶生长领域，具体涉及一种优化碳化硅单晶生长的方法。包括以下步骤：（1）在石墨坩埚的 |
| 8 | CN106435734A | 一种用于生长低缺陷碳化硅单晶的籽晶处理方法 | 2017.02.22 | 针对现有技术中存在的问题，本发明提供了一种用于生长低缺陷碳化硅单晶的籽晶处理方法。本发明提供的籽晶处 |
| 9 | CN106435732A | 一种快速制备大尺寸SiC单晶晶棒的方法 | 2017.02.22 | 本发明涉及一种快速制备大尺寸SiC单晶晶棒的方法，第一阶段，将小尺寸SiC晶片外形加工为所需外形，将 |
| 10 | CN104550133B | 一种去除碳化硅单晶中空微缺陷内部、及晶片表面有机污染物的方法 | 2017.02.22 | 本发明提供了一种去除碳化硅单晶中空微缺陷内部、及晶片表面有机污染物的方法，该方法在真空反应腔内，在高 |
| 11 | CN205711036U | 一种监控碳化硅晶体炉温度的装置 | 2016.11.23 | 一种监控碳化硅晶体炉温度的装置包括监测装置、工业相机、工业镜头、窄通滤光片和衰减片；所述工业镜头安装 |
| 12 | CN205711046U | 小炉盖升降旋转机构 | 2016.11.23 | 本实用新型涉及一种小炉盖升降旋转机构，包括炉台、上炉室、小炉盖、托架、观察窗、锁紧螺母、旋转托盘、支 |
| 13 | CN205711045U | 一种减少Sic晶体生长中碳包裹物产生的热场结构 | 2016.11.23 | 本实用新型涉及一种减少Sic晶体生长中碳包裹物产生的热场结构，包括坩埚、石墨环、发热体、顶保温层、侧 |
| 14 | CN205711044U | 一种避免顶部保温中心测温孔堵塞的热场结构 | 2016.11.23 | 本实用新涉及一种避免顶部保温中心测温孔堵塞的热场结构，包括坩埚，测温孔护套、发热体、顶保温层、侧保温 |
| 15 | CN205711037U | 一种减轻顶部保温材料受腐蚀的热场结构 | 2016.11.23 | 本实用新型涉及一种减轻顶部保温材料受腐蚀的热场结构，包括坩埚、护板、发热体、顶保温层、侧保温层和底保 |
| 16 | CN103058192B | 一种用于碳化硅晶体生长的碳化硅微粉的制备方法 | 2016.05.25 | 本发明涉及一种用于碳化硅晶体生长的碳化硅微粉的制备方法，包括以下步骤：将碳粉和硅粉的均匀混合，得到混 |
| 17 | CN103624675B | 一种获得低加工损伤的碳化硅衬底表面的加工方法 | 2016.05.11 | 本发明涉及一种获得低加工损伤的碳化硅衬底表面的加工方法，包括以下步骤：先将磨料固化到研磨垫中，得到固 |
| 18 | CN104470017B | 一种感应加热线圈装置 | 2016.02.03 | 本发明提供了一种感应加热线圈装置，该技术方案感应线圈可采用铜方管焊接而成，可中空通水冷却。铜管两端采 |
| 19 | CN204417640U | 提高晶体生长速度的坩埚及晶体生长装置 | 2015.06.24 | 本实用新型提供一种提高晶体生长速度的坩埚及晶体生长装置，所述坩埚为石墨坩埚，所述坩埚上部靠近晶体处的 |
| 20 | CN204417652U | 用于生长SiC晶体的石墨坩埚 | 2015.06.24 | 本实用新型提供一种用于生长SiC晶体的石墨坩埚，包括盖体和带底的筒体，所述盖体具有向下弯折的边沿，所 |
| 21 | CN204417651U | 一种具有温度梯度调整作用的用于制备碳化硅晶体的坩埚 | 2015.06.24 | 本实用新型提供了一种具有温度梯度调整作用的用于制备碳化硅晶体的坩埚，本技术方案中为实现对晶体生长过程 |
| 22 | CN204417639U | 一种用于制备碳化硅原料的坩埚 | 2015.06.24 | 本实用新型涉及一种用于制备碳化硅原料的坩埚，该技术方案在坩埚体两端均设一个螺纹盖，处于粉料底部的螺纹 |
| 23 | CN204417638U | 提高晶体生长速度的发热筒及晶体生长装置 | 2015.06.24 | 本实用新型提供一种提高晶体生长速度的发热筒及晶体生长装置，发热筒包括石墨筒体，所述筒体下半部分与碳化 |
| 24 | CN204417641U | 可调控SiC晶体生长梯度的水冷装置及晶体生长炉 | 2015.06.24 | 本实用新型提供一种可调控SiC晶体生长梯度的水冷装置及晶体生长炉，水冷装置包括升降机构、水冷环、通水 |
| 25 | CN204417642U | 一种用于制备碳化硅晶体的加热装置 | 2015.06.24 | 本实用新型提供了一种用于制备碳化硅晶体的加热装置，该装置在坩埚上方增设顶部加热器，晶体退火过程中，通 |
| 26 | CN204417653U | 碳化硅晶体炉感应线圈与中频电源连接装置 | 2015.06.24 | 本实用新型提供的碳化硅晶体炉感应线圈与中频电源连接装置，包括中空结构的上封头、电缆线和下封头，与线圈 |
| 27 | CN104550133A | 一种去除碳化硅单晶中空微缺陷内部、及晶片表面有机污染物的方法 | 2015.04.29 | 本发明提供了一种去除碳化硅单晶中空微缺陷内部、及晶片表面有机污染物的方法，该方法在真空反应腔内，在高 |
| 28 | CN104526890A | 多线切割用槽轮 | 2015.04.22 | 本发明提供一种多线切割用槽轮，所述槽轮上的槽为靠近轮心的底边窄，远离轮心的顶边宽的等腰梯形槽；所用切 |
| 29 | CN204272417U | 一种用于感应加热线圈的支撑装置 | 2015.04.15 | 本实用新型提供了一种用于感应加热线圈的支撑装置，在该技术方案中，基座由四氟绝缘材料制成，防止线圈本体 |
| 30 | CN104470017A | 一种感应加热线圈装置 | 2015.03.25 | 本发明提供了一种感应加热线圈装置，该技术方案感应线圈可采用铜方管焊接而成，可中空通水冷却。铜管两端采 |
| 31 | CN104451884A | 碳化硅晶体炉坩埚升降控制系统及控制方法 | 2015.03.25 | 本发明提供的碳化硅晶体炉坩埚升降控制系统及控制方法，系统包括PLC、分频电路和放大电路，分频电路采集 |
| 32 | CN103101121B | 一种碳化硅单晶切割线定位的方法 | 2014.12.10 | 本发明涉及一种碳化硅单晶切割线定位的方法，本发明使用线光源照射位于晶体底面正前方的切割线，切割线在晶 |
| 33 | CN203820924U | 一种用于制备碳化硅晶体的坩埚 | 2014.09.10 | 本实用新型涉及碳化硅晶体制备领域，特别涉及一种用于制备碳化硅晶体的坩埚。包括坩埚上盖、坩埚底和挡板， |
| 34 | CN203807591U | 一种底部分离式碳化硅晶体生长用石墨坩埚 | 2014.09.03 | 本实用新型涉及一种底部分离式碳化硅晶体生长用石墨坩埚，包括坩埚壁与坩埚底盖，所述坩埚壁与所述坩埚底盖 |
| 35 | CN203613305U | 一种碳化硅单晶的生产装置 | 2014.05.28 | 本实用新型涉及一种碳化硅单晶的生产装置，包括坩埚，所述坩埚的外部设有感应线圈，所述感应线圈套装在坩埚 |
| 36 | CN203586849U | 一种大尺寸石英管炉的电气信号处理系统 | 2014.05.07 | 本实用新型涉及一种大尺寸石英管炉的电气信号处理系统，包括与外接电源相连接的开关电源、传感器、控制器、 |
| 37 | CN203569242U | 一种用于生长碳化硅晶体的坩埚 | 2014.04.30 | 本实用新型涉及一种用于生长碳化硅晶体的坩埚，包括坩埚盖、坩埚体及隔离板，所述坩埚盖扣合在所述坩埚体上 |
| 38 | CN203573188U | 一种晶体腐蚀自动控制装置 | 2014.04.30 | 本实用新型涉及一种晶体腐蚀自动控制装置，包括加热模块、温控模块、反应容器和保温装置；加热模块包括加热 |
| 39 | CN203546203U | 一种用于生长SiC晶体的坩埚 | 2014.04.16 | 本实用新型公开了一种用于生长SiC晶体的坩埚，包括：坩埚筒体、坩埚顶盖和坩埚底盖；坩埚筒体包括圆筒状 |
| 40 | CN203546206U | 一种下炉盖升降机构 | 2014.04.16 | 本实用新型涉及一种下炉盖升降机构，包括机台（1）、气缸（2）、撞块（3）、O型密封圈（5）、下炉盖（ |
| 41 | CN203546207U | 一种大尺寸碳化硅晶体生长的感应线圈 | 2014.04.16 | 本实用新型涉及一种大尺寸碳化硅晶体生长的感应线圈，包括线圈（1）和水路接头（2）；所述线圈（1）为横 |
| 42 | CN203542884U | 一种用于碳化硅单晶定位边定向的夹具 | 2014.04.16 | 本实用新型涉及一种用于碳化硅单晶定位边定向的夹具，夹具主体放置在定向仪精度样品台上，夹具主体大致呈长 |
| 43 | CN203527674U | 一种单线切割机上的晶体摆动装置 | 2014.04.09 | 本实用新型涉及晶体加工领域，尤其涉及一种单线切割机上的晶体摆动装置。包括切割线安装机构、线切割机载物 |
| 44 | CN103643294A | 一种尺寸均一、多面体形态的碳化硅微晶的制备方法 | 2014.03.19 | 本发明涉及一种尺寸均一、多面体形态的碳化硅微晶的制备方法，包括以下步骤：将SiC原料放置于坩埚中，微 |
| 45 | CN103624675A | 一种获得低加工损伤的碳化硅衬底表面的加工方法 | 2014.03.12 | 发明涉及一种获得低加工损伤的碳化硅衬底表面的加工方法，包括以下步骤：先将磨料固化到研磨垫中，得到固定 |
| 46 | CN103630708A | 一种辨别碳化硅晶片硅碳面的方法 | 2014.03.12 | 发明涉及一种辨别碳化硅晶片硅碳面的方法，其特征在于，包括以下步骤：将机械精抛后的碳化硅晶片进行化学抛 |
| 47 | CN103603037A | 碳化硅籽晶粘接装置 | 2014.02.26 | 本发明提供了一种碳化硅籽晶粘接装置，包括石墨盖和籽晶粘接板，籽晶与所述籽晶粘接板粘接，所述石墨盖和所 |
| 48 | CN103603036A | 一种用于生长碳化硅晶体的坩埚 | 2014.02.26 | 本发明涉及一种用于生长碳化硅晶体的坩埚，包括坩埚盖、坩埚体及隔离板，所述坩埚盖扣合在所述坩埚体上，且 |
| 49 | CN103290482A | 一种去除大直径碳化硅单晶应力的方法 | 2013.09.11 | 本发明涉及一种去除大直径碳化硅单晶应力的方法，包括：使用频率大于20KHz的超声波超声处理碳化硅单晶 |
| 50 | CN203096233U | 一种碳化硅晶体生长的坩埚结构 | 2013.07.31 | 本实用新型涉及一种碳化硅晶体生长的坩埚结构，包括坩埚锅盖及坩埚体，所述坩埚体包括用于晶体生长的第一坩 |
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